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BSC011N03LSIXT
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET OptiMOS Power MOSFET MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS |
| Category |
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商业参数
| 商标名 | OptiMOS | 零件号别名 | BSC011N03LSIATMA1 SP000884574 |
| 工厂包装数量 | 5000 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 下降时间 | 6.2 ns | 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| 栅极电荷 | 72 nC | 额定功率 | 96 W |
| 上升时间（典型） | 8.8 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 37 ns | 通道数量 | 1 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.2 V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1.1 mOhms |
| 平均正向功率 | 96 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 900 uOhms | 电流传输比（最小） | 80 S |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 6.4 ns | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 100 A | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 100 A |
机械参数
| 宽度 | 5.15 mm | 高度 | 1.27 mm |
| 长度 | 5.9 mm | 包装方式 | Reel |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | PG-TSDSON-8 |
产品信息
| 系列 | BSC011N03 | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | Infineon Technologies |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source | ||
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||