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IS42S16800F-6BLI

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IS42S16800F-6BLI

Manufacturer
Description
DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDRAM, 3.3v DRAM Chip SDRAM 128M-Bit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA IC SDRAM 128M 166MHZ 54BGA 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, IT DRAM 128M 8Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V
Category
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商业参数

标准包装数量348工厂包装数量348
标准封装名称BGA

合规参数

RoHSRoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

转速166MHz频率166MHz
接口Parallel时钟速率166 MHz
存取时间6 ns存储器容量128M (8M x 16)
存储器类型SDRAM额定电压3
供电电流120 mA供电电压3 V ~ 3.6 V
最大额定电流120最小供电电压3.6
共模瞬态抗扰度(最小)Industrial

机械参数

宽度8包装方式Tray
引脚样式Ball安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT封装形式54-TFBGA
连接器用途Parallel总长度8
包装数量TFBGA位数4
外壳尺寸-插件0.8(Max)供应商器件封装54-TFBGA (8x8)
核心数/总线宽度16 bit

产品信息

类型SDRAM系列IS42S16800F-6
密度128M制造商全称8Mx16
存储器格式RAM地址数量14
印刷电路板数量54

环境参数

工作温度-40°C ~ 85°C

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