KVR1333D3N9K2/8G
| Manufacturer | |
| Description | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 6-Pin MicroFET EP T/R DRAM Module DDR3 SDRAM 8Gbyte 240DIMM |
| Category |
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商业参数
| 标准包装数量 | Trays | 标准封装名称 | DIMM |
合规参数
| 欧盟RoHS | Supplier Unconfirmed | ||
电气参数
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | 时钟速率 | 1333 |
| 额定电压 | 1.425 | 首抽头延迟 | 19 ns |
| 元件数量 | 32 | 击穿电压 | 30 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 13@10V mOhm | 最小供电电压 | 1.575 |
| 传播延迟（最大） | 3 ns | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 8 ns |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 11 A | ||
机械参数
| 引脚样式 | No Lead | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | 6MicroFET EP | 冷却的封装 | FBGA |
| 总长度 | 133.35 | 包装数量 | DIMM |
| 位数 | 240 | 外壳尺寸-插件 | 18.75 |
| 核心数/总线宽度 | 64 | ||
产品信息
| 密度 | 8Gbyte | 通道类型 | Enhancement |
| 主要用途 | DRAM Module | 制造商全称 | 512Mx64x2 |
| 子类别 | DDR3 SDRAM | 模块/板类型 | 240DIMM |
| 印刷电路板数量 | 240 | 逻辑单元/单元数量 | 2G |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||
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