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LTR-4206E
| Manufacturer | |
| Description | Phototransistor IR Chip Silicon 2-Pin T-1 Phototransistors Phototrans Filtered PHOTOTRAN NPN 3MM IR DARK |
| Category |
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商业参数
| 产品类别 | Phototransistors | 标准包装数量 | Bulk |
| 工厂包装数量 | 1000 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 下降时间 | 15 us | 波长 | 940nm |
| 最大功率 | 100mW | 滤波器阶数 | Visible Cut-off |
| 视角 | Top View | 上升时间（典型） | 10000(Typ) ns |
| 晶体管类型 | Phototransistor | 供电电压 | 30 V |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 100nA | 暗电流（最大） | 100 nA |
| 最小输入电压 | 5 V | 最大功耗 | 100 mW |
| 暗电流 Id（最大） | 100nA | 集电极电流（Ic）（最大） | 4.5 mA |
| 最大传播延迟 @ V, 最大CL | 15000(Typ) ns | ||
机械参数
| 包装方式 | Bulk | 透镜颜色 | Clear |
| 透镜样式 | Domed | 方向 | Top View |
| 透镜尺寸（因值为长宽高，非直径） | 3 mm | 安装类型 | Through Hole |
| 封装形式 | 2T-1 | 透镜样式/尺寸 | 20° |
产品信息
| 类型 | IR Chip | 极性 | NPN |
| 输出配置 | Through Hole | ||
环境参数
| 工作温度 | + 85 C | ||
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