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IXBH42N170

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IXBH42N170

Manufacturer
Description
IGBT Transistors 1700V 75A Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD IGBT 1700V 80A 360W TO247
Category
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商业参数

商标名BIMOSFET其他名称Q1157068
产品类别IGBT Transistors标准包装数量30
工厂包装数量30标准封装名称TO-247-AD

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

最大栅源电压 Vgs20 V输入类型Standard
栅极电荷188nC最大功率360W
额定功率360 W供电电压1700V
最小输入电压1700平均正向功率360 W
最大功耗360000集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic2.8V @ 15V, 42A
反向恢复时间(trr)1.32µs栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs188nC
集电极电流(Ic)(最大)80A集电极截止电流(最大)300A
集电极脉冲电流 (Icm)300A

机械参数

宽度5.3 mm高度21.46 mm
长度16.26 mm重量0.229281 oz
包装方式Bulk插片宽度Tab
引脚样式Through Hole安装类型Through Hole
安装样式Through Hole封装形式TO-247-3
总长度16.26(Max)包装数量TO-247AD
位数3外壳尺寸-插件21.46(Max)
供应商器件封装TO-247AD

产品信息

系列BIMOSFET™技术Si
通道类型N制造商全称IXYS
配置Single印刷电路板数量3

环境参数

工作温度- 55 C

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