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IXFH12N100
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET 1KV 12A Trans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD |
| Category |
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商业参数
| 商标名 | HyperFET | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 30 | 工厂包装数量 | 30 |
| 标准封装名称 | TO-247-AD | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 32 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | �20 V | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 300W | 额定功率 | 300 W |
| 上升时间（典型） | 33 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 62 ns | 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 4.5V @ 4mA |
| 击穿电压 | 1000 | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 6A, 10V |
| 平均正向功率 | 300 W | 最大功耗 | 300000 |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 1000 V | 导通电阻（最大） | 1.05 ohm |
| 电流传输比（最小） | 10 s | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 155nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 21 ns | 漏源电压（Vdss） | 1000V (1kV) |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 12 | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 12 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 4000pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 12A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 5.3 mm | 高度 | 21.46 mm |
| 长度 | 16.26 mm | 重量 | 0.229281 oz |
| 包装方式 | Tube | 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Through Hole | 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole | 封装形式 | TO-247-3 |
| 冷却的封装 | TO-247AD | 总长度 | 16.26(Max) |
| 包装数量 | TO-247AD | 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 21.46(Max) | 供应商器件封装 | TO-247AD |
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 系列 | IXFH12N100 |
| 极性 | N | 技术 | Si |
| 通道类型 | N | 制造商全称 | IXYS |
| 配置 | Single | 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||
Documents & Media
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