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MII200-12A4

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MII200-12A4

Manufacturer
Description
Discrete Semiconductor Modules 200 Amps 1200V Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 270A 7-Pin Y3-DCB MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB MII200-12A4, IGBT Module, N-channel, Dual, 270A 1200V, 7-Pin Y3 DCB
Category
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商业参数

产品Power Semiconductor Modules标准包装数量2
工厂包装数量2标准封装名称Y3-DCB

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

输入端StandardIGBT类型NPT
最大栅源电压 Vgs±20V最大功率1130W
NTC热敏电阻No供电电压1200V
最小输入电压1200 V最大功耗1130000
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic2.7V @ 15V, 150A集电极电流(Ic)(最大)270A
输入电容 (Cies) @ Vce11nF @ 25V集电极截止电流(最大)10mA

机械参数

宽度62mm高度30mm
长度110mm包装方式Bulk
安装类型Screw安装样式Screw
封装形式Y3-DCB冷却的封装Y3 DCB
总长度110包装数量Y3-DCB
尺寸/外形110 x 62 x 30mm位数7
外壳尺寸-插件30供应商器件封装Y3-DCB

产品信息

系列MII200通道类型N
制造商全称IXYS配置Dual
印刷电路板数量7

环境参数

工作温度+150 °C

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