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MWI100-12A8

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MWI100-12A8

Manufacturer
Description
Discrete Semiconductor Modules 100 Amps 1200V Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 160A 19-Pin MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E3
Category
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商业参数

产品Power Semiconductor Modules标准包装数量5
工厂包装数量5

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

输入端StandardIGBT类型NPT
最大栅源电压 Vgs±20最大功率640W
NTC热敏电阻No供电电压1200V
最小输入电压1200最大功耗640000
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic2.6V @ 15V, 100A集电极电流(Ic)(最大)160A
输入电容 (Cies) @ Vce6.5nF @ 25V集电极截止电流(最大)6.3mA

机械参数

宽度62包装方式Bulk
安装类型Screw安装样式Screw
封装形式E3总长度122
位数19外壳尺寸-插件17
供应商器件封装E3

产品信息

类型Six-Pack IGBT Modules系列MWI100
通道类型N制造商全称IXYS
配置Hex印刷电路板数量19

环境参数

工作温度125

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