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MWI200-06A8

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MWI200-06A8

Manufacturer
Description
Discrete Semiconductor Modules NPT IGBT 600V, 200A Trans IGBT Module N-CH 600V 225A 21-Pin TRANS 16BIT 3-PH 600V 115A MWI200-06A8, IGBT Module, N-channel, Hex, 225A 600V, 21-Pin IXYS N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 225 A 600 V, 21针
Category
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商业参数

产品Power Semiconductor Modules其他名称Q2725163
产品类别Discrete Semiconductor Modules标准包装数量5
工厂包装数量5

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

输入端StandardIGBT类型NPT
最大栅源电压 Vgs±20V最大功率675W
NTC热敏电阻No晶体管类型3 相
供电电压600V最小输入电压600 V
最大功耗675000集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic2.5V @ 15V, 200A
集电极电流(Ic)(最大)225A输入电容 (Cies) @ Vce9nF @ 25V
集电极截止电流(最大)1.8mA栅极触发电压 Vgt (最大)±20V

机械参数

宽度62mm高度17mm
长度122mm包装方式Bulk
引脚样式Through Hole安装类型Screw
安装样式Screw引脚数21
封装形式E3总长度122
尺寸/外形122 x 62 x 17mm位数21
外壳尺寸-插件17供应商器件封装E3

产品信息

类型Six-Pack IGBT Modules系列MWI200
功能Y通道类型N
制造商全称IXYS配置Hex
每IC通道数3 相桥接印刷电路板数量21

环境参数

工作温度+125 °C

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