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VMO1200-01F

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VMO1200-01F

Manufacturer
Description
Discrete Semiconductor Modules 1200 Amps 100V MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI
Category
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商业参数

产品Power Semiconductor Modules标准包装数量2
工厂包装数量2

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide延迟时间360 ns
FET特性StandardVgs(th)(最大)@ Id4V @ 64mA
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs1.35 mOhm @ 932A, 10V栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs2520nC @ 10V
漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)@ 25°C1245A

机械参数

包装方式Tray安装类型Chassis Mount
安装样式Screw封装形式Y3-Li
供应商器件封装Y3-Li

产品信息

类型Single Switch MOSFETs Module系列VMO1200
制造商全称IXYS

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