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MAGX-001214-250L00

Manufacturer
Description
Transistors RF GaAs 1.2-1.4GHz 50Volt 250W Pk Gain 17.8dB TRANSISTOR,GAN,250W 1.2-1.4GHZ Transistors RF JFET 1.2-1.4GHz 50Volt 250W Pk Gain 17.8dB Trans JFET 8.8A GaN HEMT 3-Pin
Category
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商业参数

产品RF JFET其他名称1465-1087
标准包装数量5

合规参数

RoHSRoHS Compliant抗辐射加固No

电气参数

增益17.6dB频率1.2GHz ~ 1.4GHz
额定输出功率250W测试电压50V
额定电压65V晶体管类型HEMT
输出电流250mA最大额定电流9A
电流传输比(最小)5 S漏源电压(Vdss)175 V
栅极触发电压 Vgt (最大)- 8 V漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)8 A

机械参数

包装方式Bulk安装类型Screw
安装样式SMD/SMT封装形式Cu/Mo/Cu flanged ceramic
位数3

产品信息

类型GaN SiC HEMT

环境参数

工作温度- 40 C to + 95 C结工作温度95C