ONEIC.US

No Image

MAGX-002731-180L00

Manufacturer
Description
Transistors RF GaAs 2.7-3.1GHz 50Volt 180W Pk Gain 11.6dB FETS RF GAN HEMT 180W 2.7-3.1GHZ Transistors RF JFET 2.7-3.1GHz 50Volt 180W Pk Gain 11.6dB Trans JFET N-CH GaN HEMT 3-Pin
Category
对参数有疑问?问 AI 助手

商业参数

产品RF JFET其他名称1465-1093
标准包装数量5

合规参数

RoHSRoHS Compliant抗辐射加固No

电气参数

增益11.2dB频率2.7GHz ~ 3.1GHz
额定输出功率180W测试电压50V
额定电压65V晶体管类型HEMT
输出电流500mA最大额定电流500mA
电流传输比(最小)5 S漏源电压(Vdss)175 V
栅极触发电压 Vgt (最大)- 8 V漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)10 A

机械参数

包装方式Bulk安装类型Screw
安装样式SMD/SMT封装形式Cu/Mo/Cu flanged ceramic
位数3

产品信息

类型GaAs HEMT通道类型N
配置Single

环境参数

工作温度- 40 C to + 95 C结工作温度95C

Documents & Media