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2N6796
| Manufacturer | |
| Description | 2N6796, N-channel MOSFET Transistor 8A 100V, 3-Pin TO-39 Magnatec , N沟道 MOSFET, 8 A, Vds=100 V, 3针 TO-39封装 |
| Category |
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电气参数
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | 开通延迟时间 | 30 ns |
| 输出功能 | 增强 | 晶体管类型 | Si |
| 关断延迟时间 | 40 ns | 首抽头延迟 | 40 ns |
| 供电电压 | 100 V | 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 180 mΩ | Vgs(th)（最大）@ Id | 4V |
| 击穿电压 | 100 V | 最大功耗 | 25 W |
| 导通电阻（最大） | 0.18 Ω | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | ±20 V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 30 ns | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 8 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 900 pF V @ 25 | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 8 A |
机械参数
| 宽度 | 9.4mm | 高度 | 4.57mm |
| 长度 | 9.4mm | 安装类型 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 | 冷却的封装 | TO-39 |
| 包装数量 | TO-39 | 尺寸/外形 | 9.4 x 9.4 x 4.57mm |
| 位数 | 3 | ||
产品信息
| 功能 | Y | 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||