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BUZ900
| Manufacturer | |
| Description | BUZ900, N-channel MOSFET Transistor 8A 160V, 2-Pin TO-3 Magnatec , N沟道 MOSFET, 8 A, Vds=160 V, 3针 TO-3封装 |
| Category |
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电气参数
| 最大栅源电压 Vgs | ±14 V | 开通延迟时间 | 100 ns |
| 输出功能 | 增强 | 晶体管类型 | Si |
| 关断延迟时间 | 50 ns | 首抽头延迟 | 50 ns |
| 供电电压 | 160 V | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.5V | 击穿电压 | 160 V |
| 最大功耗 | 125 W | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | ±14 V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 100 ns | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 8 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 500 pF V @ 10 | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 8 A |
机械参数
| 宽度 | 8.7mm | 高度 | 25mm |
| 长度 | 39mm | 安装类型 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 | 冷却的封装 | TO-3 |
| 包装数量 | TO-3 | 尺寸/外形 | 39 x 8.7 x 25mm |
| 位数 | 2 | ||
产品信息
| 通道类型 | Enhancement | 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||