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BUZ900D
| Manufacturer | |
| Description | BUZ900D, N-channel MOSFET Transistor 16A 160V, 2-Pin TO-3 |
| Category |
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电气参数
| 最大栅源电压 Vgs | ±14 V | 首抽头延迟 | 80 ns |
| 元件数量 | 1 | 击穿电压 | 160 V |
| 最大功耗 | 250 W | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 160 ns |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 16 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 950 pF V @ 10 |
机械参数
| 宽度 | 8.7mm | 高度 | 25mm |
| 长度 | 39mm | 安装类型 | Through Hole |
| 冷却的封装 | TO-3 | 尺寸/外形 | 39 x 8.7 x 25mm |
| 位数 | 2 | ||
产品信息
| 通道类型 | Enhancement | 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||