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BUZ906P
| Manufacturer | |
| Description | BUZ906P, P-channel MOSFET Transistor -8A -200V, 3-Pin TO-247 Magnatec P沟道 Si MOSFET 晶体管 , 8 A, Vds=200 V, 3针 TO-247封装 |
| Category |
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电气参数
| 最大栅源电压 Vgs | ±14 V | 开通延迟时间 | 120 ns |
| 输出功能 | 增强 | 晶体管类型 | Si |
| 关断延迟时间 | 60 ns | 首抽头延迟 | 60 ns |
| 供电电压 | 200 V | 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 1.5 Ω | Vgs(th)（最大）@ Id | 1.5V |
| 击穿电压 | -200 V | 最大功耗 | 125 W |
| 导通电阻（最大） | 1.5 Ω | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | ±14 V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 120 ns | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | -8 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 734 pF V @ 10 | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 8 A |
机械参数
| 宽度 | 2.49mm | 高度 | 21.46mm |
| 长度 | 16.26mm | 安装类型 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 | 冷却的封装 | TO-247 |
| 包装数量 | TO-247 | 尺寸/外形 | 16.26 x 2.49 x 21.46mm |
| 位数 | 3 | ||
产品信息
| 功能 | Y | 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||