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IRF150

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IRF150

Manufacturer
Description
IRF150, N-channel MOSFET Transistor 38A 100V, 2-Pin TO-3
Category
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电气参数

最大栅源电压 Vgs±20 V首抽头延迟170 ns
元件数量1击穿电压100 V
最大功耗150 W导通电阻(最大)0.065 Ω
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs50 → 125 nC V @ 10开关时间(Ton, Toff)(最大)35 ns
峰值脉冲电流(10/1000µs)38 A输入电容(Ciss)(最大)@ Vds3700 pF V @ 25

机械参数

宽度26.67mm高度7.87mm
长度39.95mm安装类型Through Hole
冷却的封装TO-3尺寸/外形39.95 x 26.67 x 7.87mm
位数2

产品信息

通道类型N卡标准Power MOSFET
配置Single

环境参数

工作温度+150 °C