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IRF250
| Manufacturer | |
| Description | IRF250, N-channel MOSFET Transistor 30A 200V, 2-Pin TO-3 Magnatec , N沟道 MOSFET, 30 A, Vds=200 V, 3针 TO-3封装 |
| Category |
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电气参数
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | 开通延迟时间 | 35 ns |
| 晶体管类型 | Si | 关断延迟时间 | 170 ns |
| 首抽头延迟 | 170 ns | 供电电压 | 200 V |
| 元件数量 | 1 | 输入电阻 | 90 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V | 击穿电压 | 200 V |
| 最大功耗 | 150 W | 导通电阻（最大） | 0.09 Ω |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 55 → 115 nC V @ 10 | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 35 ns |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 30 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 3500 pF V @ 25 |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 30 A | ||
机械参数
| 宽度 | 26.67mm | 高度 | 7.87mm |
| 长度 | 39.95mm | 安装类型 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 | 冷却的封装 | TO-3 |
| 包装数量 | TO-3 | 尺寸/外形 | 39.95 x 26.67 x 7.87mm |
| 位数 | 2 | ||
产品信息
| 功能 | Y | 通道类型 | N |
| 卡标准 | Power MOSFET | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||