No Image
SI2301-3A
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET SOT-23 P Channel 20V |
| Category |
对参数有疑问？问 AI 助手
合规参数
| 零件状态 | Active | ||
电气参数
| FET类型 | P-Channel | 最大栅源电压 Vgs | ±10V |
| FET特性 | - | Vgs(th)（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 3A, 4.5V | 最大功耗 | 225mW (Ta) |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 6.6 nC @ 10 V | 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 330 pF @ 10 V | 驱动电压（最大Rds On，最小Rds On） | 3.3V, 4.5V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 3A (Ta) | ||
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
产品信息
| 制造商 | MDD | 系列 | SOT-23 |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) | ||
环境参数
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C | ||
Documents & Media
PDF Document
PDF Document