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2N7002DW-TP
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET Dual N-CH 60V 115mA Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R MOSFET 2N-CH 60V 115MA SOT-363 DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA, SOT-363, FULL REEL DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA, SOT-363 |
| Category |
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商业参数
| 其他名称 | 2N7002DW-TPCT | 标准包装数量 | 3,000 |
| 标准封装名称 | SOT-26 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412100 | ||
电气参数
| FET类型 | 2 N-Channel (Dual) | 最大栅源电压 Vgs | :10VDC |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 200mW |
| 额定功率 | 200 mW | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 11 ns | 元件数量 | 2 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 250µA | 击穿电压 | 60 |
| 阈值电压 | :1.5V | 导通电阻 RDS(On) | :4.4ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 50mA, 5V | 最大功耗 | 200 |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V | 导通电阻（最大） | 13500@10V |
| 电流传输比（最小） | 80 ms | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.115 | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.115 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 50pF @ 25V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 115mA |
机械参数
| 宽度 | 1.35(Max) | 重量 | 0 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :6 | 封装形式 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 总长度 | 2.2(Max) | 包装数量 | SOT-363 |
| 位数 | 6 | 外壳尺寸-插件 | 1(Max) |
| 供应商器件封装 | SOT-363 | ||
产品信息
| 系列 | 2N7002 | 通道类型 | Enhancement |
| 配置 | Dual | 印刷电路板数量 | 6 |
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||