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APT100GT60JR
| Manufacturer | |
| Description | Trans IGBT Chip N-CH 600V 148A 4-Pin SOT-227 IGBT 600V 148A 500W SOT227 IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single |
| Category |
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商业参数
| 产品 | IGBT Silicon Carbide Modules | 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 标准封装名称 | SOT-227 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| 输入端 | Standard | IGBT类型 | NPT |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | 最大功率 | 500W |
| NTC热敏电阻 | No | 供电电压 | 600V |
| Vce饱和电压（最大） | 2.1 V | 最小输入电压 | 600 V |
| 平均正向功率 | 500 W | 最大功耗 | 500000 |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 100A | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 300 nA |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 148A | 输入电容 (Cies) @ Vce | 5.15nF @ 25V |
| 集电极截止电流（最大） | 148 A | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 148 A |
机械参数
| 包装方式 | Bulk | 安装类型 | Screw |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | 4SOT-227 |
| 包装数量 | SOT-227 | 位数 | 4 |
| 供应商器件封装 | ISOTOP® | ||
产品信息
| 通道类型 | N | 制造商全称 | Microsemi |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||