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APT14M100S
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK MOSFET Power MOSFET - MOS8 |
| Category |
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商业参数
| 标准包装数量 | 1 | 工厂包装数量 | 1 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 26 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 120 nC | 最大功率 | 500W |
| 上升时间（典型） | 29 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 95 ns | 通道数量 | 1 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 1mA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 880 mOhm @ 7A, 10V |
| 平均正向功率 | 500 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 1000 V |
| 导通电阻（最大） | 880 mOhms | 电流传输比（最小） | 16 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 120nC @ 10V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 28 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 1000V (1kV) | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 3965pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 14A (Tc) | ||
机械参数
| 包装方式 | * | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | Through Hole | 封装形式 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D3Pak | ||
产品信息
| 系列 | * | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | Microsemi |
| 配置 | 1 N-Channel | ||
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||