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APT150GN60JDQ4

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APT150GN60JDQ4

Manufacturer
Description
Trans IGBT Chip N-CH 600V 220A 4-Pin SOT-227 IGBT 600V 220A 536W SOT227 IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
Category
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商业参数

产品IGBT Silicon Modules商标名ISOTOP
标准包装数量Rail / Tube工厂包装数量1
标准封装名称SOT-227

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

输入端StandardIGBT类型Trench and Field Stop
最大栅源电压 Vgs±30 V最大功率536W
NTC热敏电阻No供电电压600V
Vce饱和电压(最大)1.5 V最小输入电压600 V
平均正向功率536 W最大功耗536000
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic1.85V @ 15V, 150A栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs600 nA
集电极电流(Ic)(最大)220A输入电容 (Cies) @ Vce9.2nF @ 25V
集电极截止电流(最大)220 A连续漏极电流(Id)@ 25°C220 A

机械参数

宽度25.4 mm高度9.6 mm
长度38.2 mm包装方式Tray
引脚样式Screw安装类型Screw
安装样式Screw封装形式4SOT-227
包装数量SOT-227位数4
供应商器件封装ISOTOP®

产品信息

通道类型N制造商全称Microsemi
配置Single Dual Emitter

环境参数

工作温度- 55 C to + 175 C