点击放大查看
APT46GA90JD40
| Manufacturer | |
| Description | Trans IGBT Chip N-CH 900V 87A 4-Pin SOT-227 IGBT 900V 87A 284W SOT-227 IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi |
| Category |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 产品 | IGBT Silicon Modules | 商标名 | POWER MOS 8, ISOTOP |
| 标准包装数量 | Rail / Tube | 工厂包装数量 | 1 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| 输入端 | Standard | IGBT类型 | PT |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | 最大功率 | 284W |
| NTC热敏电阻 | No | 供电电压 | 900V |
| Vce饱和电压（最大） | 2.5 V | 最小输入电压 | 900 V |
| 平均正向功率 | 284 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 47A |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 100 nA | 集电极电流（Ic）（最大） | 87A |
| 输入电容 (Cies) @ Vce | 4.17nF @ 25V | 集电极截止电流（最大） | 87 A |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 87 A | ||
机械参数
| 宽度 | 25.4 mm | 高度 | 9.6 mm |
| 长度 | 38.2 mm | 安装类型 | Screw |
| 安装样式 | Screw | 封装形式 | 4SOT-227 |
| 供应商器件封装 | ISOTOP® | ||
产品信息
| 制造商全称 | Microsemi | 配置 | Single Dual Emitter |
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||