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APT50GF120B2RG
| Manufacturer | |
| Description | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 135A 3-Pin(3+Tab) T-MAX IGBT 1200V 135A 781W TMAX IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Single |
| Category |
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商业参数
| 产品 | IGBT Silicon Carbide Modules | 标准包装数量 | Rail / Tube |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| IGBT类型 | NPT | 最大栅源电压 Vgs | ±30 V |
| 输入类型 | Standard | 栅极电荷 | 340nC |
| 最大功率 | 781W | 开关能量 | 3.6mJ (on), 2.64mJ (off) |
| 供电电压 | 1200V | Td（开/关）@ 25°C | 25ns/260ns |
| Vce饱和电压（最大） | 2.5 V | 最小输入电压 | 1200 V |
| 平均正向功率 | 781 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | +/- 100 nA | 集电极电流（Ic）（最大） | 135A |
| 集电极截止电流（最大） | 135 A | 集电极脉冲电流 (Icm) | 150A |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 135 A | ||
机械参数
| 包装方式 | Tube | 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole | 封装形式 | 3T-MAX |
| 供应商器件封装 | * | ||
产品信息
| 制造商全称 | Microsemi | 配置 | Single |
环境参数
| 测试条件 | 800V, 50A, 1 Ohm, 15V | 工作温度 | - 55 C |