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APT50GF120JRDQ3
| Manufacturer | |
| Description | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 120A 4-Pin SOT-227 IGBT 1200V 120A 521W SOT227 IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Combi |
| Category |
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商业参数
| 产品 | IGBT Silicon Modules | 商标名 | ISOTOP |
| 标准包装数量 | Rail / Tube | 工厂包装数量 | 1 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| 输入端 | Standard | IGBT类型 | NPT |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | 最大功率 | 521W |
| NTC热敏电阻 | No | 供电电压 | 1200V |
| Vce饱和电压（最大） | 2.5 V | 最小输入电压 | 1200 V |
| 平均正向功率 | 521 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 3V @ 15V, 75A |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 100 nA | 集电极电流（Ic）（最大） | 120A |
| 输入电容 (Cies) @ Vce | 5.32nF @ 25V | 集电极截止电流（最大） | 120 A |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 120 A | ||
机械参数
| 宽度 | 25.4 mm | 高度 | 9.6 mm |
| 长度 | 38.2 mm | 包装方式 | Bulk |
| 安装类型 | Screw | 安装样式 | Screw |
| 封装形式 | 4SOT-227 | 供应商器件封装 | ISOTOP® |
产品信息
| 制造商全称 | Microsemi | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | - 55 C to + 150 C | ||