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APT50GP60J
| Manufacturer | |
| Description | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 4-Pin SOT-227 IGBT 600V 100A 329W SOT227 IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single |
| Category |
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商业参数
| 产品 | IGBT Silicon Modules | 标准包装数量 | Rail / Tube |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| 输入端 | Standard | IGBT类型 | PT |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | 最大功率 | 329W |
| NTC热敏电阻 | No | 供电电压 | 600V |
| Vce饱和电压（最大） | 2.2 V | 最小输入电压 | 600 V |
| 平均正向功率 | 329 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | +/- 100 nA | 集电极电流（Ic）（最大） | 100A |
| 输入电容 (Cies) @ Vce | 5.7nF @ 25V | 集电极截止电流（最大） | 100 A |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 100 A | ||
机械参数
| 安装类型 | Screw | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 4SOT-227 | 供应商器件封装 | ISOTOP® |
产品信息
| 制造商全称 | Microsemi | 配置 | Single Dual Emitter |
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||