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APT94N65B2C6

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APT94N65B2C6

Manufacturer
Description
MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX MOSFET Power MOSFET - CoolMOS
Category
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商业参数

标准包装数量1工厂包装数量1

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide下降时间172 ns
最大栅源电压 Vgs20 VFET特性Super Junction
栅极电荷320 nC最大功率833W
上升时间(典型)59 ns晶体管类型N-Channel
首抽头延迟323 nsVgs(th)(最大)@ Id3.5V @ 3.5mA
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs35 mOhm @ 35.2A, 10V平均正向功率833 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic650 V导通电阻(最大)35 mOhms
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs320nC @ 10V开关时间(Ton, Toff)(最大)26 ns
漏源电压(Vdss)650V输入电容(Ciss)(最大)@ Vds8140pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C95A (Tc)

机械参数

高度21.46 mm长度16.26 mm
包装方式Bulk安装类型Through Hole
安装样式Through Hole封装形式TO-247-3 Variant
供应商器件封装T-MAX™ [B2]

产品信息

系列*技术Si
通道类型Enhancement制造商全称Microsemi
配置Single

环境参数

工作温度+ 150 C