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DN2540N3-G-P003
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET N-CH 400V 120MA 3TO-92 MOSFET N-Channel MOSFET 400V 0.12A 3P TO-92 |
| Category |
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商业参数
| 产品 | MOSFET Small Signal | 标准包装数量 | 2,000 |
| 工厂包装数量 | 2000 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 20 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | FET特性 | Depletion Mode |
| 最大功率 | 1W | 上升时间（典型） | 15 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 15 ns |
| 通道数量 | 1 Channel | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 25 Ohm @ 120mA, 0V |
| 平均正向功率 | 1 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 400 V |
| 导通电阻（最大） | 25 Ohms | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 10 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 400V | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 300pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 120mA (Tj) | ||
机械参数
| 宽度 | 4.19 mm | 高度 | 5.33 mm |
| 长度 | 5.21 mm | 包装方式 | * |
| 安装类型 | * | 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | * | 供应商器件封装 | * |
产品信息
| 技术 | Si | 通道类型 | Depletion |
| 制造商全称 | Microchip Technology | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||
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