点击放大查看
DN2540N5-G
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET N-CH 400V 500MA 3TO-220 Small Signal FET TO-220 N 400 V, DN2540N5-G, Microchip Microchip , N沟道 MOSFET, 500 mA, Vds=400 V, 3针 TO-220封装 MOSFET 400V 25Ohm |
| Category |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 标准包装数量 | 50 | 工厂包装数量 | 50 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 20 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | FET特性 | Depletion Mode |
| 最大功率 | 15W | 额定功率 | 15 |
| 开通延迟时间 | 10 ns | 输出功能 | 消耗 |
| 上升时间（典型） | 15 ns | 晶体管类型 | Si |
| 关断延迟时间 | 15 ns | 首抽头延迟 | 15 ns |
| 供电电压 | 400 V | 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 | 输入电阻 | 25 Ω |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 3.5V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 25 Ohm @ 120mA, 0V |
| 平均正向功率 | 15 W | 最大功耗 | 15 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 400 V | 导通电阻（最大） | 25 Ohms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | ±20 V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 10 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 400V | 跳闸后电阻（R1）（最大） | 25 Ohm@ 120 mA |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 150 mA | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 300pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 500mA (Tj) | ||
机械参数
| 宽度 | 0.19in | 高度 | 0.65in |
| 长度 | 10.6mm | 包装方式 | * |
| 安装类型 | * | 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 | 封装形式 | * |
| 包装数量 | TO-220 | 尺寸/外形 | 0.42 x 0.19 x 0.65in |
| 供应商器件封装 | * | ||
产品信息
| 功能 | Y | 极性 | N |
| 技术 | Si | 通道类型 | N |
| 制造商全称 | Microchip Technology | 配置 | Single |
| 变体后缀 | Depletion mode | 其他规格 | 400 V |
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||
Documents & Media
Online Document