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DN2540N8-G

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DN2540N8-G

Manufacturer
Description
MOSFET N-CH 400V 170MA 3SOT-89 MOSFET 400V 25Ohm
Category
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商业参数

产品MOSFET Small Signal标准包装数量2,000
工厂包装数量2000

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide下降时间15 ns
最大栅源电压 Vgs20 VFET特性Depletion Mode
最大功率1.6W上升时间(典型)15 ns
晶体管类型N-Channel首抽头延迟15 ns
通道数量1 Channel导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs25 Ohm @ 120mA, 0V
平均正向功率1.6 W集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic400 V
导通电阻(最大)25 Ohms开关时间(Ton, Toff)(最大)10 ns
漏源电压(Vdss)400V输入电容(Ciss)(最大)@ Vds300pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C170mA (Tj)

机械参数

宽度2.6 mm高度1.6 mm
长度4.6 mm包装方式*
安装类型*安装样式SMD/SMT
封装形式*供应商器件封装*

产品信息

类型FET技术Si
通道类型Depletion制造商全称Microchip Technology
配置Single

环境参数

工作温度+ 150 C

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