ONEIC.US
MCP1406-E/SN

点击放大查看

MCP1406-E/SN

Manufacturer
Description
MOSFET DRVR 6A 1-OUT Lo Side Inv 8-Pin SOIC N Tube 1xMOSFETDr 6.0A 18V I SOIC SMD IC MOSFET DVR 6A 8SOIC MCP1406-E/SN, MOSFET Power Driver 6A, Inverting, 4.5 to 18V, 8-Pin SOIC Gate Drivers 6A Single DRIVER, MOSFET, SINGL 6A, SMD, SOIC8 Driver; 6A; Channels:1; inverting; 4.5÷18V; SO8 Microchip MOSFET 功率驱动器, 6A, 反相, 8针 SOIC封装
Category
对参数有疑问?问 AI 助手

商业参数

最小起订量500单位包装100
其他名称MCP1406ESN产品类别Gate Drivers
标准包装数量Rail / Tube工厂包装数量100
标准封装名称SOIC

合规参数

RoHSLead free / RoHS CompliantSVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant海关税号85423190
汽车级NO抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform故障保护NANY/N/NA/NAN

电气参数

输出端inverting下降时间30 ns
延迟时间40ns输入类型Inverting
额定电压4.5 V上升时间(典型)30 ns
输出电流6 A供电电流0.25 mA
驱动电路Low Side供电电压4.5 V ~ 18 V
输出数量1通道数量1
峰值输出电流6(Typ) A最小输入电压18V
输出电压(最大):17.975V最小供电电压18 V
输入逻辑低电平CMOS/TTL传播延迟时间55 ns
输入逻辑高电平CMOS|TTL导通电阻(最大)NY/N/NA/NAN
反向恢复时间(trr)20ns传播速度(VoP)4.5V
滑臂电阻(欧姆)(典型)1.5|2.1 Ohm峰值脉冲电流(10/1000µs)6A
漏电流(IS(off))(最大)NY/N/NA/NAN最大传播延迟 @ V, 最大CL30
冲击放电电流 (8/20µs)20ns传播延迟 tpLH / tpHL(最大)55
共模瞬态抗扰度(最小)Extended

机械参数

宽度3.9mm高度1.25mm
长度4.9mm重量0.000175
包装方式Tube封装体颜色:SOIC
引脚样式Gull-wing端接方式:SMD
安装类型Surface Mount安装样式SMD/SMT
引脚数:8封装形式8SOIC N
冷却的封装SOIC N材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
总长度4.9包装数量SOIC N
尺寸/外形4.9 x 3.9 x 1.25mm位数8
外壳尺寸-插件1.25(Min)供应商器件封装8-SOIC N

产品信息

SPG50类型High-Speed Power MOSFET Driver
基本单元:1406匹配码MCP1406-E/SN
配置Low-Side单元数量1
模块/板类型:Low Side驱动器数量1
标准交期14 weeks应用细节1xDriver
印刷电路板数量8配置数1

环境参数

工作温度-40 to 125 °C结工作温度-40°C

Documents & Media

PDF Document
Online Document
PDF Document
PDF Document