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BFU630F,115

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BFU630F,115

Manufacturer
Description
Transistors RF Bipolar Small Signal Single NPN 21GHz Trans GP BJT NPN 5.5V 0.03A 4-Pin(3+Tab) DFP T/R TRANSISTOR NPN SOT343F TRANSISTOR NPN SOT343F-4 Transistors RF Bipolar Single NPN 21GHz RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
Category
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商业参数

其他名称568-8453-1标准包装数量3,000
工厂包装数量3000标准封装名称DFP

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

增益13dB ~ 22.5dB最大功率200mW
额定功率200 mW最大频率21000(Typ)
晶体管类型NPN供电电压5.5V
元件数量1最小输入电压5.5
过渡频率21GHz增益带宽积21 GHz
电源电压(最大)2.5平均正向功率200 mW
最大功耗200集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic16
噪声系数(dB典型值 @ f)0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHzVce饱和电压(最大)@ Ib, Ic2.5 V
集电极电流(Ic)(最大)30mA集电极截止电流(最大)3 mA
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce90@5mA@2V

机械参数

宽度1.35(Max)包装方式Tape and Reel
插片宽度Tab安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT封装形式SOT-343F
总长度2.2(Max)包装数量DFP
位数4外壳尺寸-插件0.75(Max)
供应商器件封装4-DFP

产品信息

类型NPN技术Si
制造商全称NXP Semiconductors配置Single
印刷电路板数量3

环境参数

工作温度+ 150 C

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