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2SK3666-3-TB-E

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2SK3666-3-TB-E

Manufacturer
Description
Trans JFET N-CH 30V 10mA 3-Pin CP T/R JFET N-CH 10MA 200MW 3CP JFET SWITCHING DEVICE ON Semiconductor N通道 JFET 晶体管 30 V, Idss: 1.2 → 3mA, 3针 CP封装
Category
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商业参数

其他名称869-1107-1标准包装数量Tape & Reel
工厂包装数量3000

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

FET类型N-Channel最大栅源电压 Vgs-30 V
电容4pF最大功率200mW
导通电阻(典型)200 Ohm晶体管类型N-Channel
供电电压30 V输入电阻200 Ω
Vgs(th)(最大)@ Id10mA击穿电压30 V
导通电阻 RDS(On)200 Ohm平均正向功率200 mW
最大功耗200集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30 V
漏电流(最大)10mA导通电阻(最大)200 Ohms
电流传输比(最小)3 ms栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs-20 V
漏源电压(Vdss)30V截止电压(VGS off)@ Id180mV @ 1µA
峰值脉冲电流(10/1000µs)10 mA栅极触发电压 Vgt (最大)-30V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)1.2mA @ 10V输入电容(Ciss)(最大)@ Vds4pF @ 10V
连续漏极电流(Id)@ 25°C10 mA

机械参数

宽度1.5mm高度1.1mm
长度2.9mm包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT引脚数3
封装形式3CP总长度2.9
包装数量CP尺寸/外形2.9 x 1.5 x 1.1mm
位数3外壳尺寸-插件1.1
供应商器件封装3-CP

产品信息

系列2SK3666功能Y
通道类型N制造商全称ON Semiconductor
配置Single每IC通道数
印刷电路板数量3

环境参数

工作温度-55 to 150 °C

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