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商业参数
| 其他名称 | NTD85N02RT4OS | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 2,500 | 工厂包装数量 | 2500 |
合规参数
| RoHS | No | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 12 ns |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 1.25W |
| 额定功率 | 2.4 W | 上升时间（典型） | 77 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 25 ns |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 250µA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 0.0048 Ohms |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 24 V | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 17.7nC @ 5V |
| 直流电阻（DCR）- 初级 | 38 S | 漏源电压（Vdss） | 24V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 85 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2050pF @ 20V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 12A (Ta), 85A (Tc) |
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | DPAK |
| 供应商器件封装 | D-Pak | ||
产品信息
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 机械寿命 | Obsolete | 工作温度 | + 150 C |
Documents & Media
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