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商业参数
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | 10,000 |
| 工厂包装数量 | 10000 | 标准封装名称 | SOT-23 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 6 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 225mW | 额定功率 | 0.225 W |
| 上升时间（典型） | 6 ns | 晶体管类型 | P-Channel |
| 首抽头延迟 | 18 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.3V @ 250µA | 击穿电压 | 20 |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 0.55 Ohms | 最大功耗 | 225 |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 20 V | 导通电阻（最大） | 800@10V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 2.18nC @ 10V | 直流电阻（DCR）- 初级 | 0.5 S |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.4 |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | - 0.4 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 70pF @ 5V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 400mA (Ta) |
机械参数
| 包装方式 | Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | SOT-23 | 包装数量 | SOT-23 |
| 位数 | 3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
产品信息
| 通道类型 | Enhancement | 配置 | Single |
环境参数
| 机械寿命 | Obsolete | 工作温度 | + 150 C |
Documents & Media
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