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SMUN5213DW1T1G

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SMUN5213DW1T1G

Manufacturer
Description
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SC-88 T/R TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363 Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
Category
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商业参数

标准包装数量Tape & Reel标准封装名称SOT-23

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

最大功率187mW晶体管类型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
供电电压50V基极电阻(R1)47k
最小输入电压50 V最大功耗385
电阻匹配比1发射极-基极电阻(R2)47k
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA集电极电流(Ic)(最大)100mA
集电极截止电流(最大)500nA集电极脉冲电流 (Icm)100 mA
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce80@5mA@10V

机械参数

宽度1.25包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing安装类型Surface Mount
封装形式6SOT-363总长度2
包装数量SC-88位数6
外壳尺寸-插件0.9供应商器件封装SC-88/SC70-6/SOT-363

产品信息

类型NPN系列MUN5213DW1
制造商全称ON Semiconductor配置Dual
印刷电路板数量6

环境参数

工作温度-55 to 150 °C

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