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FQI30N06LTU

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FQI30N06LTU

Manufacturer
Description
MOSFET
Category
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合规参数

RoHSNo

电气参数

下降时间110 ns额定功率3.75 W
上升时间(典型)210 ns晶体管类型N-Channel
首抽头延迟60 ns导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs0.035 Ohms
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic60 V栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 20 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)32 A

机械参数

包装方式Rail安装样式SMD/SMT
封装形式I2PAK

产品信息

配置Single

环境参数

机械寿命Obsolete工作温度+ 175 C