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FQI5N50TU

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FQI5N50TU

Manufacturer
Description
MOSFET
Category
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合规参数

RoHSNo

电气参数

下降时间35 ns额定功率3.13 W
上升时间(典型)55 ns晶体管类型N-Channel
首抽头延迟25 ns导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs1.8 Ohms
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic500 V栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 30 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)4.5 A

机械参数

包装方式Rail安装样式SMD/SMT
封装形式I2PAK

产品信息

配置Single

环境参数

机械寿命Obsolete工作温度+ 150 C