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QSD123_Q

Manufacturer
Description
Phototransistors 4mA PHOTO TRANS
Category
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合规参数

RoHSNo

电气参数

下降时间7 us上升时间(典型)7 us
供电电压30 V暗电流(最大)100 nA
最大功耗100 mW

机械参数

包装方式Bulk封装形式T-1 3/4

产品信息

类型IR Chip

环境参数

机械寿命Obsolete工作温度+ 100 C