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RM12N650T2
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220-3 |
| Category |
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合规参数
| 零件状态 | Active | 资质认证 | - |
电气参数
| FET类型 | N-Channel | 最大栅源电压 Vgs | ±30V |
| FET特性 | - | Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 7A, 10V | 最大功耗 | 101W (Tc) |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 870 pF @ 50 V |
| 驱动电压（最大Rds On，最小Rds On） | 10V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 11.5A (Tc) |
机械参数
| 包装方式 | Tube | 安装类型 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-220-3 | 供应商器件封装 | TO-220-3 |
产品信息
| 制造商 | Rectron USA | 等级 | - |
| 系列 | - | 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
环境参数
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | ||
Documents & Media
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