RMD0A8P20ES9
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET 2P-CH 20V 0.8A SOT363-6L |
| Category |
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合规参数
| 零件状态 | Active | ||
电气参数
| FET特性 | - | 最大功率 | 800mW (Ta) |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1V @ 250µA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 0.0018C @ 4.5V | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 87pF @ 10V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 800mA (Ta) |
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 供应商器件封装 | SOT-363-6L |
产品信息
| 系列 | - | 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 制造商全称 | Rectron USA | 配置 | 2 P-Channel (Dual) |
| 基础产品编号 | RMD0A8 | ||
环境参数
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | ||
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