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OP550C

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OP550C

Manufacturer
Description
Phototransistor IR Chip Silicon 2-Pin PHOTOTRANSISTOR, SIDE VIEW PHOTO TRANSISTOR LATERAL
Category
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合规参数

RoHSRoHS Compliant PartSVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
欧盟RoHSCompliant海关税号85414090

电气参数

灵敏度:250µA @ 1mW/cm²晶体管类型Phototransistor
供电电压30 V峰值波长:935nm
通道数量1暗电流(最大)100(Typ)
暗电流(典型值):2.4mA最大额定电流2400
最小输入电压30平均正向功率:100mW
最大功耗100集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic5 V
暗电流 Id(最大)100 nA供电电压 (Vcc/Vdd):5V
集电极电流(Ic)(最大)2.4 mA

机械参数

深度:2.28mm宽度:4.45mm
长度:5.7mm重量0.015
引脚样式Through Hole透镜颜色Clear
引脚间距:2.54mm安装类型Through Hole
引脚数:2封装形式:Side Looking
总长度4.57(Max)外径4.19(Max)
引线长度:12.7mm位数2
外壳尺寸-插件5.84(Max)

产品信息

极性NPN印刷电路板数量2

环境参数

工作温度:100°C