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2N2222AUB

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2N2222AUB

Manufacturer
Description
Transistors Bipolar - BJT NPN G.P. TRANSISTOR TRANSISTOR NPN GP HERMETIC SMD Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR
Category
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商业参数

交货时间70 Days子类别Gp Bjt
产品类别Transistors Bipolar - BJT标准包装数量1
工厂包装数量1

合规参数

RoHSLead free / Not applicable

电气参数

最大功率300mW晶体管类型NPN
供电电压50V平均正向功率300 mW
最大功耗300 mW集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic75 V
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic1V @ 15mA, 500mA集电极电流(Ic)(最大)800mA
集电极截止电流(最大)50nA直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce75 @ 1mA, 10V

机械参数

高度1.37 mm长度3.18 mm
包装方式Bulk安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT封装形式3-LCC
供应商器件封装Ceramic SMD

产品信息

制造商全称Optek / TT Electronics配置Single

环境参数

工作温度- 65 C

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