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HCT802
| Manufacturer | |
| Description | DUAL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| Category |
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电气参数
| 电感量 | 170/200 S | 额定功率 | 0.5 W |
| 开通延迟时间 | 15/50 ns | 关断延迟时间 | 17/50 ns |
| 导通电阻 RDS(On) | 5 Ohms | 漏电流（最大） | 1.5/1.1 A |
| 漏源电压（Vdss） | 90 V | ||
机械参数
| 极化 | N-Channel and P-Channel | 冷却的封装 | SMD-6 |
产品信息
| 类型 | Dual Enhanced Mode | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||