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QPD1008

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QPD1008

Manufacturer
Description
RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Category
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商业参数

工厂包装数量25

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

增益17.5 dB频率3.2 GHz
输出功率162 W晶体管类型N-Channel
Vgs(th)(最大)@ Id145 V平均正向功率127 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic50 V连续漏极电流(Id)@ 25°C4 A

机械参数

包装方式Tray安装样式SMD/SMT
封装形式NI-360

产品信息

系列QPD技术GaN SiC
制造商全称Qorvo配置Single
开发套件QPD1008PCB401

环境参数

工作温度+ 85 C