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HAT2096H-EL-E

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HAT2096H-EL-E

Manufacturer
Description
Trans MOSFET N-CH 30V 0.12A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
Category
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商业参数

标准包装数量Tape & Reel标准封装名称LFPAK

合规参数

RoHSContains lead / RoHS non-compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide最大栅源电压 Vgs±14 V
FET特性Logic Level Gate最大功率20W
下降时间(典型)15 ns首抽头延迟62 ns
元件数量1击穿电压30 V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs45000@10V mOhm最大功耗20000
传播延迟(最大)49 ns导通电阻(最大)45000@10V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs40nC @ 10V开关时间(Ton, Toff)(最大)20 ns
漏源电压(Vdss)30V峰值脉冲电流(10/1000µs)0.12 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds2200pF @ 10V连续漏极电流(Id)@ 25°C40A (Ta)

机械参数

宽度3.95包装方式Tape and Reel
插片宽度Tab引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount封装形式5LFPAK
总长度4.9包装数量LFPAK
位数5外壳尺寸-插件1(Max)
供应商器件封装LFPAK

产品信息

通道类型Enhancement印刷电路板数量4

环境参数

工作温度-55 to 150 °C

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