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2SD2211T100Q

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2SD2211T100Q

Manufacturer
Description
Transistors Bipolar - BJT DVR NPN 160V 1.5A Transistor TRANS DVR NPN 160V 1.5A SOT89 TR Bipolar Transistors - BJT DVR NPN 160V 1.5A
Category
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商业参数

最小起订量1000单位包装1000
产品类别Transistors Bipolar - BJT标准包装数量1,000
工厂包装数量1000

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

最大功率2W晶体管类型NPN
供电电压160 VVce饱和电压(最大)2 V
过渡频率80MHz增益带宽积80 MHz
平均正向功率2000 mW最大功耗2000 mW
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic160 VVce饱和电压(最大)@ Ib, Ic5 V
集电极电流(Ic)(最大)1.5A集电极截止电流(最大)1.5 A
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce120 at 0.1 A at 5 V

机械参数

高度1.5 mm长度4.5 mm
包装方式Reel安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT封装形式SOT-89
供应商器件封装MPT3

产品信息

系列2SD2211制造商全称ROHM Semiconductor
配置Single

环境参数

工作温度+ 150 C

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