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2SK2103T100

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2SK2103T100

Manufacturer
Description
MOSFET N-CH 30V 2A MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89
Category
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商业参数

其他名称2SK2103T100CT产品类别MOSFET
标准包装数量1,000工厂包装数量1000

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide下降时间60 ns
最大栅源电压 Vgs20 VFET特性Logic Level Gate
最大功率500mW额定功率2 W
上升时间(典型)25 ns晶体管类型N-Channel
首抽头延迟60 ns通道数量1 Channel
Vgs(th)(最大)@ Id2.5V @ 1mA导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs400 mOhm @ 1A, 10V
平均正向功率2 W集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30 V
导通电阻(最大)400 mOhms开关时间(Ton, Toff)(最大)10 ns
漏源电压(Vdss)30V栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 20 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)2 A输入电容(Ciss)(最大)@ Vds230pF @ 10V
连续漏极电流(Id)@ 25°C2A

机械参数

高度1.5 mm长度4.5 mm
包装方式Tape & Reel (TR)安装类型Surface Mount
安装样式Through Hole封装形式TO-243AA
供应商器件封装MPT3

产品信息

系列2SK2103技术Si
通道类型Enhancement制造商全称ROHM Semiconductor
配置Single

环境参数

工作温度+ 150 C

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