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2SK3018T106
| Manufacturer | |
| Description | Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin UMT T/R MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323 TRANSISTOR SWITCHING MOSFET N-CH SMD MOSFET 30V 0,1A UMT3 |
| Category |
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商业参数
| 其他名称 | 2SK3018T106TR | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel | 工厂包装数量 | 3000 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 海关税号 | 85412900 |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 35 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | FET特性 | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| 最大功率 | 200mW | 额定功率 | 200 mW |
| 上升时间（典型） | 35 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 80 ns | Vgs(th)（最大）@ Id | 1.5V @ 100µA |
| 击穿电压 | 30 V | 阈值电压 | :1.5V |
| 最大额定电流 | :100mA | 导通电阻 RDS(On) | :8ohm |
| 触点电压（最大） | :30V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 8000@4V mOhm |
| 最大功耗 | :200mW | 传播延迟（最大） | 35 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 15 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.1 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.1 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 13pF @ 5V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 100mA (Ta) |
机械参数
| 重量 | 0.00003 | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 端接方式 | :SMD | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3UMT | 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 供应商器件封装 | UMT3 | ||
产品信息
| 通道类型 | Enhancement | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||